近日，振华永光传来好消息：第6代IGBT功率模块制迎来窗口期，第7代IGBT功率模块成功研制。

根据振华永光IGBT订货情况显示，截止2023年5月31日，第6代IGBT功率模块的用户数量同比增长42.9%，IGBT订货金额同比增长100%以上，这些都得益于第6代IGBT优良的开关损耗和可靠性表现，未来预期在伺服电机、风力发电等领域均会有很好的市场前景。

2023年6月，振华永光成功研制出第7代IGBT芯片的1200V/900A功率模块，该产品参数性能可完全对标世界一流企业第7代同类产品。

第7代IGBT芯片是基于全新微沟槽技术，与第6代IGBT芯片技术相比，静态损耗降低了30%。该芯片使用在功率模块中，可带来更高的电流密度，相同封装体积下的输出电流能力增加50%以上。同时将IGBT功率模块的最高结温从第6代的150℃提升到175℃，具有很好的市场前景。